Charakterisierung der Leistungshalbleiter, einschl. Halbleiter mit großer Bandlücke (SiC, GaN)

Safe, precise, fast MOSFET testing

Sichere, genaue, schnelle MOSFET-Prüfungen

Für Si-, SiC- und GaN-Bauelemente

Schnellere Markteinführungszeit für Ihre Leistungshalbleiterelemente

Halbleiter mit großer Bandlücke (wie z. B. SiC und GaN) werden jetzt in Kombination mit herkömmlichem Silizium in anspruchsvollen Anwendungen wie Automobil und HF-Kommunikation eingesetzt, da diese bei höheren Frequenzen, Spannungen und Temperaturen bei geringerer Verlustleistung arbeiten können. Effizienzsteigerungen bei herkömmlichen Siliziumdesigns ermöglichen jedoch die Umsetzung eines hohen Wertbeitrags in zahlreichen Anwendungen auf dem ausgedehnten Markt. Profitieren Sie von einer schnelleren Markteinführungszeit Ihrer Halbleiterbauelemente bei gleichzeitiger Minimierung von Ausfällen im Feld.

Große Leistungshüllkurve

Die manuelle Charakterisierung auf Wafer- und Bauteil-Ebene erfordert das Erlernen neuer Techniken und Messgeräte, wenn es um hochempfindliche Messungen geht (z. B. Leckstrommessung im pA-Bereich während Durchschlagspannungsmessungen). Erzeugen Sie Ströme bis 100 A und Spannungen bis 3000 V, optimieren Sie komplexe und zeitaufwändige Umkabelung zwischen Messungen im Durchlasszustand, im Sperrzustand und Kapazitätsmessungen mit Testlösungen für Leistungshalbleiter von Keithley.

Typische Anordnung für Messungen im Durchlasszustand.

Richten Sie Ihre Prüfung sicher ein

8010 High Power Device Test Fixture ermöglicht sichere und einfache Verbindungen für Messungen an Leistungsbauelementen bis 3 kV oder 100 A.

Sie müssen auch die Hochspannungsmessungen sicher einrichten und die Ergebnisse schnellstmöglich erhalten. Deren manuelle Entwicklung erfordert Expertise in Programmierung und Kenntnisse, um ein System sicherheitskonform einzurichten. Sie müssen dies nicht selbst tun. Sichere und einfache Anschlüsse zum Messen an diskreten Bauteilen bis 3000 V oder 100 A mit 8010 High Power Device Test Fixture. Führen Sie schnell und einfach gängige I-V-Messungen durch, ohne ACS-BASIC programmieren zu müssen.

Profitieren Sie von einer zweimal schnelleren Bauteilcharakterisierung für schnellere Markteinführungszeiten

Für Produkte auf herkömmlicher Si- und GaN-Basis können Sie die Messergebnisse schnell erhalten, indem Sie den Parameteranalysator 4200A einsetzen. Er ermöglicht automatisierte Messungen bis 200V und 1A.

4200A-SCS.

Vermeiden Sie kostenintensive Überdimensionierungen Ihrer Wide Bandgap Hableiter

Potentialfreie differenzielle Messungen (wie z.B. bei der Messung von Vgs eines FETs in einem Schaltnetzteil) sind aufgrund der hohen Frequenzen und Gleichtaktspannungen schwierig oder schier unmöglich zu bewältigen, da die üblichen Tastköpfe bei hohen Bandbreiten keine ausreichende Gleichtaktunterdrückung aufweisen. Die niedrige Gleichtaktunterdrückung führt dazu, dass die Messungen durch Gleichtaktfehler dominiert werden, anstatt das tatsächliche differentielle Signal abzubilden. Tektronix hat dafür eine einzigartige Lösung: Den isolierten IsoVu-Tastkopf, bei dem die Gleichtaktunterdrückung – innerhalb der zum Betrieb von GaN- und SiC-Bauelementen gegebenen Anforderungen – nicht mit der Frequenz abfällt und somit genaue Differentialmessungen ermöglicht. Somit können Sie Leitungs-, Totzeit- und Schaltverluste ermitteln und präzise berechnen. Wenn Sie zudem keinen integrierten Gate-Treiber verwenden, können Sie dank der Möglichkeit, potentialfreie differentielle Messungen durchzuführen, die Totzeit zum Ein- und Ausschalten Ihres Geräts messen und kontrollieren. Weiterhin können Sie nun eine Überbewertung hochfrequenter Störstrahlung von Leistungswandlern durch die Entstehung von steilen Transienten (dv/dt) bei harten Schaltvorgängen vermeiden.

Ein weiterer zu berücksichtigender Aspekt ist die Auswirkung der Tastkopfkapazität bei höheren Taktfrequenzen. Eine zu hohe Tastkopfkapazität führt zu einem Abrunden der ansteigenden Flanke in der Messung, wodurch wichtige Frequenztakteigenschaften verloren gehen. Ein Hinzufügen des Tastkopfes zu den sehr empfindlichen, potenzialfreien Gate-Signalen kann darüber hinaus zu einer Beschädigung des Geräts durch die kapazitive Belastung, die durch Störsignale verursacht wird, führen. Die geringe Kapazität des ISOVu-Tastkopfs minimiert auch Probleme mit der Tastkopfkapazität am Gate sowie die Gefahr von Beschädigungen am Gerät aufgrund von Störsignalen.

Mit dem IsoVu-Tastkopf kann die High-Side-Gate-Spannungsform genau erfasst werden, um die Schaltleistung und Zuverlässigkeit auswerten und ohne Beeinträchtigung des dV/dt optimieren zu können.

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