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MODELL ODER SCHLÜSSELWORT

Leistungs- und Energieeffizienz

Gewährleisten Sie sichere, präzise und schnelle Si-, SiC- und GaN-MOSFET-Tests in Labor- und Wafer-Test-Umgebungen. Erfahren Sie mehr über die Herausforderungen beim Testen, die bei der Übernahme von SiC und GaN in Ihre Designs entstehen, und darüber, wie diese zu bewältigen sind. Erfahren Sie, wie Sie die Leistungsaufnahme minimieren und die Batterielebensdauer für Ihre Endprodukte maximieren können. Verkürzen Sie die Markteinführungszeit für Ihre Designs.

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Charakterisierung der Stromversorgung

  • Sichere, präzise und schnelle MOSFET-Tests für Si-, SiC- und GaN-Bausteine
  • Große Leistungshüllkurve
  • Richten Sie Ihre Prüfung sicher ein
  • Profitieren Sie von einer zweimal schnelleren Bauteilcharakterisierung für schnellere Markteinführungszeiten
  • Vermeiden Sie kostenintensive Überdimensionierungen Ihrer Wide Bandgap Hableiter
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Automatisierter parametrischer Test

  • Vollautomatische Hochspannungstests auf Wafer-Ebene
  • Wechseln Sie von Hochspannung zu Niederspannung, ohne das Setup verändern zu müssen
  • Kapazitätsmessung ohne manuelle Neukonfiguration, schnelle Automatisierung
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SiC- und GaN-Leistungsumwandlung

  • Bewältigung hoher Gleichtaktspannungen
  • Gleichzeitige Messung mehrerer Steuerungs- und Timing-Signale
  • Schnellere automatisierte Leistungsmessungen
  • Lückenlose Einhaltung von Vorschriften
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Maximieren der Akku-Lebensdauer in IoT-Geräten

  • Bestimmen des Laststromprofils
  • Simulieren beliebiger Batterien
  • Modellierung beliebiger Akkuarten

Regelkreisanalyse

  • Oszilloskop-basierte Anordnung für Reaktionsmessungen
  • Tastkopfeigenschaften für Regelkreismessungen
  • Messung der Stabilitätsgrenze mit Bode-Diagrammen
  • System für Regelkreisanalyse

Stromversorgungsmessung und -analyse

  • Schaltverlustmessungen und -analysen
  • Messungen schaltungsinterner Spulen- und Transformatorverluste
  • Messungen mit GaN- und SiC-Schaltgeräten
  • Sicherer Arbeitsbereich (SOA)
  • Versorgungsspannungsdurchgriff
  • Regelkreisantwort

Analysieren der Energieintegrität in einem PDN

  • Messen der Hochfrequenzwelligkeit, ohne DC zu blockieren
  • Bewerkstelligung von Versorgungen von 1 V bis 48 V und höher
  • Minimieren des vom Messsystem verursachten Rauschens
  • PDN-Impedanzmessungen
  • Rauschjagd mit synchronisierten Spektren und Wellenformen
  • Automatisierte Stromschienenmessungen

Messungen an 3-phasigen Antrieben mit variabler Frequenz

  • Durchführung stabiler Messungen an PBM-3-Phasen-Motorantrieben
  • Oszilloskopbasierte Phasordiagramme
  • Messung des Systemwirkungsgrads
  • Gleichstrombus-Messungen
  • Unterstützung für 2V2I-, 3V3I-Stern- und Dreieckskonfiguration sowie Gleichstromeingang/3-Phasen-Ausgang.

Entwicklungen im Bereich der Energieeffizienz

Unsere Ingenieure teilen ihre Ansicht darüber, warum Leistungs- und Energieeffizienz bei der Designentwicklung wichtiger als je zuvor geworden ist.

„In diesem Jahr kam es zu einer großen Wende mit Siliziumkarbid, das in vielen kommerziellen Produkten eingesetzt wurde.“

Pat Hensley, Tektronix

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