Materialwissenschaft

Wenn Sie Materialien oder Komponenten der Zukunft entwickeln, wie z. B. siliziumbasierte Verbund-Halbleiter, Dünnschichten für Solarzellen, Graphen und andere nanoskalige Materialien usw., stehen Sie an vorderster Front im Hinblick auf bahnbrechende Neuerungen bei Anwendungen in der Halbleitertechnologie, Elektronik, im Medizingerätebereich, im Gesundheitswesen u. a. mehr. Wir möchten Ihnen gerne die neuesten Innovationen und Verfahren für die genaue elektrische Charakterisierung dieser fortgeschrittenen Materialien vorstellen, wie z. B.:

  • Elektrochemische Charakterisierung
  • Messung von nanoskaligen Materialien
  • Hall-Effekt-Prüfung von Graphen-Komponentenstrukturen
  • Gepulste I-V-Tests von Verbund-Halbleiterkomponenten/-materialien
  • Überwachung des fokussierten Ionenstrahlstroms
  • Charakterisierung von Nanokristallen
  • C-V-Charakterisierung von Solarzellen
  • Halbleiter-Parameter-Analyse
  • Messungen extrem niedriger Ströme

Unsere umfassenden Lösungen zur elektrischen Charakterisierung von neuen Materialien und Komponenten können Ihnen helfen, Ihre Innovationen zu vertiefen und unsere Welt neu zu denken.

Bibliothek

Title
Performing Cyclic Voltammetry Measurements Using 2450-EC or 2460-EC Electrochemistry Lab Systems

This application note outlines using either a 2450-EC or 2460-EC Electrochemistry Lab System to perform cyclic voltammetry using the built-in test script and electrochemistry translation cable accessory kit.

Leakage Current and Insulation Resistance Measurements
Characterizing Nanoscale Devices with Differential Conductive Measurements

With appropriate instrumentation, the four-wire source current/measure voltage method is a great improvement over older differential conductance measurements, which are slow, noisy, and complex.  The new technique's single sweep shortens hours of data collection to a few minutes, while improving accuracy.

Hall Effect Measurements Essential for Characterizing High Carrier Mobility
Electrical Characterization of Carbon Nanotube Transistors (CNT FETs) with the Model 4200-SCS Semiconductor Characterization System
Four-Probe Resistivity and Hall Voltage Measurements with the Model 4200-SCS
Resistivity Measurements Using the Model 2450 SourceMeter SMU Instrument and a Four-Point Collinear Probe
Making High Resistance Measurements on Small Crystals in Inert Gas or High Vacuum w/ the Model 6517A
Title
Tips and Techniques to Simplify MOSFET/MOSCAP Device Characterization

This webinar presents a new process that makes characterization and parameter extraction easier and quicker. We'll be discussing the extraction of common parameters as well as which tests to run to get the most information about your device.

Downloads
Download

Laden Sie Handbücher, Datenblätter, Software und vieles mehr herunter:

Go to top